Intel faz “unboxing” de equipamento EUV High-NA redução de litografia

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A Intel compartilhou em seu perfil oficial no YouTube um vídeo de “unboxing” do novo equipamento EUV High-NA (lentes de alta abertura numérica) que será utilizado para avançar os processos de fabricação de chips em litografia reduzida. O Twinscan EXE:5000 é o primeiro de 10 ferramentas que vão equipar as fundições Intel, possibilitando reduzir a litografia dos chips para abaixo dos 2 nm.

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A compra das ferramentas da ASML (Litografia Avançada de Materiais Semicondutores) foi concluída em dezembro, e o primeiro scanner já foi entregue. Mesmo considerando o tempo necessário para configurar o EXE:5000, o vídeo é um marco simbólico na produção de nodes de silício cada vez menores, e até o momento, a Intel é uma das primeiras fabricantes a já ter adquirido ferramentas para isso.

 

Corrida por menores litografias

Um dos maiores desafios para as fabricantes de semicondutores é reduzir as dimensões dos componentes embarcados, já microscópicos. Isto porque reduzir o tamanho implica em aumentar a área aproveitável dos chips, permitindo embarcar mais tecnologias, além de também reduzir consumo de energia, algo essencial para a nova Era da IA.

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Outro ponto importante é que as litografias reduzidas são cruciais para a utilização de estruturas modulares, viabilizando a criação hardwares cada vez mais complexos ao combinar chiplets especializados de tamanhos diferentes. Os novos processadores Meteor Lake já utilizam o processo de fabricação Intel 4, equivalente a 4 nm.

A projeção da empresa é, até o final de 2024, já estar pronta para fabricar chips utilizando o processo Intel 18A, equivalente a 1,8 nm, e iniciar a produção em larga escala a partir do segundo semestre de 2025. Por mais que Samsung e TSMC também estejam caminhando para entregar seus silícios abaixo de 3 nm, a Intel adquiriu mais da metade do estoque até o final de 2025 de scanners capazes de imprimir circuitos com tanta precisão.

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