TSMC usará fotônica de silício de 12,8 Tbps em data centers

Durante o Northern American Technology Symposium 2024, a TSMC anunciou a chegada de uma solução para aumentar a largura de banda de data centers. A tecnologia é baseada em fotônica de silício, que promete aumentar a taxa de transferência de dados para incríveis 12,8 Tbps e se tornar uma das formas mais avançadas para realizar esse processo. 

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Chamadaode COUPE (Compact Universal Photonic Engine), esse recurso opera por meio de um circuito integrado eletrônico fabricado com litografia de 65 nanômetros (nm) e um circuito integrado de fotônica que utiliza a técnica de empacotamento SoIC-X. Esse conjunto promete ter um consumo energético mais baixo, justamente por conta do SoIC-X, que puxa menos energia e leva menos impedância ao sistema.

“Na TSMC, passamos muitos e muitos anos trabalhando em fotônica de silício. Temos a capacidade de aproximar a fotônica de silício dos elementos de transição, a fim de criar uma sinalização de alta velocidade com muita eficiência energética para atender aos futuros requisitos da computação”, diz o vice-presidente de desenvolvimento de negócios da TSMC, Kevin Zhang

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A primeira etapa do COUPE visa fornecer 1,6 Tbps de dados para conectores OSFP (Octa Small Form Factor Pluggable), valor duas vezes maior que as soluções convencionais feitas com cobre. Já o segundo tem integração direta com CoWoS (Chip on Wafer on Silicon), que permitirá transmissão interconectada de nível óptico com placas-mãe de 6,4 Tbps.

O terceiro passo na implementação da fotônica da TSMC deve liberar a taxa de transmissão máxima de 12,8 Tbps. Nessa etapa, o material deve ser empacotado junto ao processador, mas a companhia afirma que essa fase continua em desenvolvimento constante.

Com a chegada da fotônica de silício, a TSMC pode resolver problemas antigos no segmento dos data centers. Além da óbvia melhoria de conexão, o fator eficiência energética deve ser primordial para essa mudança. 

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