Samsung rebatiza 2⁠ª geração de wafers em 3 nm para 2 nm

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Samsung causa polêmica ao rebatizar 2⁠ª geração de wafers fabricados em 3 nm para 2 nm para se posicionar de forma competitiva em relação ao processo Intel 20A, equivalente a 2 nm. A iniciativa levanta questionamentos sobre como vem sendo feita a comunicação oficial sobre a fabricação wafers de silício, uma vez que medida, de fato, não está relacionada ao tamanho “real” dos semicondutores.

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Os termos 5 nm, 3 nm, 2 nm, e assim por diante, são utilizados deliberadamente pelas fabricantes de chips para representar a densidade de transistores em dies de silício, e não o tamanho efetivo dos componentes. Na prática, cada componente de um chip tem tamanhos diferentes e esses números são apenas marcas para facilitar a compreensão dos produtos.

Nem os chips em 3 nm têm 3 nm

O processo de redução de litografias é bem mais complexo do que apenas imprimir circuitos e transistores cada vez menores, passando por mudanças profundas nas estruturas desses componentes. Por essa razão, a nomenclatura de litografia em nanômetros é uma medida relativa de densidade, que envolve o formato dos portões lógicos dos circuitos e empacotamento 3D, para acomodar mais componentes por área da PCB.

Por essa razão, o rebranding da Samsung para seu processo de fabricação de 3 nm de 2⁠ª geração para 2 nm não, necessariamente, uma propaganda enganosa ou golpe publicitário. Ao que tudo indica, a medida da sul-coreana visa reposicionar seu processo de fabricação em relação aos chips da Intel.

Processo de miniaturização de semicondutores exige passar de transistores planos para projetos 3D com diferentes portões lógicos para aumentar densidade de efetiva de componentes. (Imagem: Samsung / Reprodução)

Os processos de fabricação Intel 4 e Intel 20A também não são, de fato, em 4 nm e 2 nm respectivamente, no entanto, a comunicação da empresa é mais clara ao sempre combinar “Intel 20, equivalente a 2 nanômetros” em seus materiais oficiais.

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